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存储芯片的冰与火之歌：DRAM与NAND Flash的周期与未来.docx
资料介绍
存储芯片的冰与火之歌：DRAM与NAND Flash的周期与未来
一、引言
存储芯片市场是半导体产业中波动最大的细分领域，DRAM和NAND Flash的价格周期如同冰与火之歌，时而炙热如夏，时而冰冷如冬。HBM的崛起正在改变存储芯片的市场格局，AI算力需求为存储芯片市场注入了新的增长动力。
二、DRAM市场
2.1 DRAM的技术演进
DRAM从DDR4到DDR5，从LPDDR4到LPDDR5，每代技术提升速率和降低功耗。
2.2 HBM的崛起
HBM是AI芯片的核心存储方案，HBM3E的带宽可达8TB/s以上。HBM4预计2026年量产，将采用16层堆叠和混合键合技术。
2.3 DRAM市场格局
三星、SK海力士和美光三巨头垄断DRAM市场，合计市场份额超过95%。
三、NAND Flash市场
3.1 3D NAND的堆叠竞赛
3D NAND的堆叠层数从32层发展到200层以上，存储密度持续提升。
3.2 NAND Flash市场格局
三星、铠侠、西部数据、美光和SK海力士是NAND Flash市场的主要参与者。
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