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DRAM存储单元电路设计与架构演进.docx
资料介绍
DRAM存储单元电路设计与架构演进
1 引言
DRAM（动态随机存取存储器）的核心存储单元由1T1C（一个晶体管+一个电容器）结构构成，其电路设计直接决定了存储密度、读写速度和功耗。在平面DRAM向3D DRAM演进的关键转折期，存储单元架构从6F²向4F²乃至垂直堆叠的变革，正在重塑DRAM电路设计的底层逻辑。本章系统阐述DRAM存储单元电路设计的基本原理、关键电路模块和架构演进路径。
2 1T1C存储单元电路原理
2.1 基本结构
DRAM的1T1C单元由一个选通晶体管和一个存储电容器组成。晶体管栅极连接字线（Word Line, WL），源极连接位线（Bit Line, BL），漏极连接电容器。当字线选通时，位线上的数据通过晶体管写入或读出电容器。
存储电容 
是决定数据保持时间的关键参数。根据 ，电容值越大，存储电荷越多，保持时间越长。在1α/1β节点，存储电容值通常维持在15-30fF范围内。
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