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DRAM开放位线与折叠位线架构噪声容限与面积效率权衡.docx
资料介绍
DRAM开放位线与折叠位线架构——噪声容限与面积效率的权衡
摘要
DRAM阵列中的位线结构分为开放位线（Open Bitline）和折叠位线（Folded Bitline）两种架构，对噪声容限、面积效率和信号完整性有深远影响。开放位线面积效率高但对噪声更敏感，折叠位线噪声抑制能力强但面积利用率低。8F2架构采用折叠位线，6F2架构转向开放位线，4F2架构继续沿用开放位线。本文从架构原理、性能对比与工艺演进等维度，系统分析DRAM位线架构。
一、折叠位线架构
折叠位线架构中，构成差分信号对的两条位线在物理上布置在感测放大器的同一侧。具备极佳的噪声抑制能力、高可靠性，但面积利用效率低。8F2架构采用折叠位线。
二、开放位线架构
开放位线架构中，构成差分信号对的两条位线被分别布置在感测放大器的两侧。面积效率更高，但对阵列噪声更敏感，可能影响数据读取的可靠性。6F2和4F2架构采用开放位线。
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| DRAM开放位线与折叠位线架构噪声容限与面积效率权衡.docx | 37K |
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