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DRAM技术发展完整技术图谱从1T1C单元到3D DRAM全栈知识体系.docx
资料介绍
DRAM技术发展完整技术图谱——从1T1C单元到3D DRAM的全栈知识体系
摘要
本文是对DRAM技术发展全栈知识体系的系统梳理，覆盖从1T1C存储单元、外围电路、制造工艺到3D DRAM的完整技术链条。DRAM自1967年发明以来，经历了从8F2到6F2再到4F2的架构演进，从1x到1c的工艺微缩，从DDR到DDR5的接口升级。在AI时代，DRAM正面临从平面到3D、从单功能到存算一体的范式转变。本文从单元结构、外围电路、工艺制造、架构创新与系统集成等维度，构建DRAM技术的完整知识图谱。
一、存储单元层
· 1T1C结构：晶体管+电容器
· 电容器制造：高深宽比柱状电容
· 多Bank架构：从8到32个Bank
· 刷新机制：64ms到2900ms
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