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国产碳化硅衬底与外延片的产业化进展与质量突破.docx
资料介绍
国产碳化硅衬底与外延片的产业化进展与质量突破
引言
碳化硅衬底是SiC功率器件的基础，其质量和成本直接影响SiC器件的性能和普及。2026年，国产碳化硅衬底与外延片的产业化进展已经取得了重要突破，在6英寸衬底方面已经实现了大规模量产，在8英寸衬底方面也取得了重要进展。国产SiC衬底的质量持续提升，缺陷密度不断降低。本文将从衬底生长、外延工艺、质量提升和产业化进展四个方面，对国产碳化硅衬底与外延片的产业化进展与质量突破进行深入的分析。
一、衬底生长
2026年，国产SiC衬底生长技术已经取得了显著进展。
PVT法天岳先进和天科合达的国产SiC衬底采用PVT法生长，在6英寸衬底方面已经实现了大规模量产。
8英寸衬底国产8英寸SiC衬底已经取得了重要突破，在衬底质量和良率方面持续提升。
二、外延工艺
2026年，国产SiC外延工艺已经取得了重要突破。
CVD外延国产SiC外延设备在外延生长方面已经达到了国际水平，在外延层厚度和掺杂浓度控制方面表现良好。
外延缺陷控制国产SiC外延片在缺陷密度方面持续降低，在表面缺陷和位错密度方面达到了国际水平。
三、质量提升
2026年，国产SiC衬底的质量已经取得了显著提升。
微管密度国产SiC衬底的微管密度已经降低到每平方厘米一个以下，在高质量衬底中已经接近零微管。
位错密度国产SiC衬底的位错密度持续降低，在高质量产品中已经降低到每平方厘米数千个。
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