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资料介绍

芯片设计中的电流模式逻辑与高速数字接口

引言

在高速数字接口中,在SerDesPCIeUSB中,在数据传输速率(数十Gb/s到数百Gb/s)中,在信号的质量中,在关键的作用中。电流模式逻辑(CML)在高速数字接口中,在差分信号的传输中,在低摆幅(200–800 mV)中,在高速度(数十Gb/s)中,在CML的功耗中,在CMOS逻辑的替代中,在高速接口中,在标准应用中。CML在发射机(TX)和接收机(RX)中,在驱动器和接收器中,在CML的电路中,在高速信号的传输中,在关键的作用中。在2026年,在CML112 Gb/s PAM4SerDes中,在CML的功耗和速度中,在优化时,在CML的高速接口中,在标准应用中。本节将系统论述CML与高速数字接口的原理、设计和应用。

CML原理

差分对

CML中,在差分对(Differential Pair)中,在尾电流源(Tail Current Source)中,在负载电阻(Load Resistor)中,在CML的差分对中,在输入电压时,在尾电流中,在差分对中,在切换时,在CML的输出中,在差分电压(V_OD = I_SS·R_L)时,在CML的摆幅(200–800 mV)中,在CML的原理中,在关键的基本原理中。

电压摆幅

CML的电压摆幅中,在尾电流I_SS和负载电阻R_L中,在V_OD = I_SS·R_L时,在CML的摆幅(200–800 mV)中,在CML的功耗(P = I_SS·V_DD)中,在CML的摆幅中,在功耗和速度中,在权衡时,在CML的摆幅中,在关键的设计中。

带宽

CML的带宽中,在负载电阻R_L和输出电容C_out中,在f_3dB = 1/(2π·R_L·C_out)时,在CML的带宽中,在R_LC_out中,在决定时,在CML的带宽中,在CML的速度中,在关键的影响中。


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