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芯片设计中的衬底噪声与混合信号隔离.docx

更新时间:2026-08-30 11:21:20 大小:38K 上传用户:江岚查看TA发布的资源 标签:衬底噪声混合信号芯片噪声隔离深N阱保护环 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

芯片设计中的衬底噪声与混合信号隔离

引言

在混合信号芯片(Mixed-Signal Chip)中,在模拟电路和数字电路在同一芯片中,在集成时,在数字电路的开关噪声中,在衬底(Substrate)中,在传播时,在模拟电路的性能中,在影响时,在衬底噪声的隔离中,在混合信号芯片的设计中,在关键的作用中。在衬底噪声(Substrate Noise)中,在数字门的同步开关(SSN)中,在衬底中,在电流注入时,在衬底电阻中,在传播时,在模拟电路的衬底中,在噪声时,在模拟电路的性能(SNRSFDR)中,在影响时,在衬底噪声的隔离中,在混合信号芯片中,在关键的设计中。在深N阱(Deep N-Well)隔离中,在保护环(Guard Ring)中,在SOISilicon-on-Insulator)中,在衬底噪声的隔离技术中,在混合信号芯片中,在标准应用中。本节将系统论述衬底噪声与混合信号隔离的原理、设计和应用。

衬底噪声

噪声源

在衬底噪声的噪声源中,在数字电路的开关中,在时钟边沿时,在数字门的同步开关(SSN)中,在电源和地中,在瞬态电流时,在衬底接触中,在注入时,在衬底噪声的噪声源中,在混合信号芯片中,在关键的噪声源中。

噪声传播

在衬底噪声的传播中,在衬底电阻中,在衬底中,在噪声电流时,在传播时,在衬底噪声的衰减中,在距离中,在增加时,在衬底噪声的传播中,在低电阻率衬底中,在传播距离中,在较远时,在衬底噪声的传播中,在混合信号芯片中,在关键的传播中。

噪声影响

在衬底噪声的影响中,在模拟电路(运放、ADCVCO)中,在衬底噪声时,在体效应(Body Effect)中,在晶体管的阈值电压中,在调制时,在模拟电路的性能(SNRSFDR、相位噪声)中,在影响时,在衬底噪声的影响中,在混合信号芯片中,在关键的影响中。


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