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肖特基二极管基础知识科普.docx
资料介绍
肖特基二极管基础知识科普
一、肖特基二极管的基本定义
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）全称肖特基势垒二极管，是一种以金属-半导体接触形成的势垒为基础的二极管，区别于传统PN结二极管由半导体与半导体接触制成，其命名来源于德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky），因他最早阐明了金属-半导体接触整流效应的理论机制而得名。
二、核心结构与工作原理
（一）基本结构
肖特基二极管的核心结构由金属层和半导体衬底两部分组成：
1. 金属侧通常使用金、银、铝、铂或硅化物等材料作为阳极；
2. 半导体侧一般使用N型硅（也可采用GaAs、SiC等宽禁带半导体材料）作为阴极；
3. 二者接触后会在界面形成肖特基势垒，这是其整流特性的来源。
封装形式和普通二极管基本一致，常见有插装DO-41、DO-15，贴片SOD-123、SMA、SMB等规格，适配不同功率等级的应用场景。
（二）工作原理
当金属和N型半导体接触时，由于二者费米能级不同，半导体中的多数载流子（电子）会向金属一侧扩散，使得半导体接触面附近留下带正电的施主离子，从而形成内电场，这个内电场就是肖特基势垒。
在外加电压作用下：
1. 正向导通：当阳极金属接正电压，阴极N型半导体接负电压时，外加电场削弱内电场，势垒高度降低，电子可以顺利从半导体流向金属，形成较大的正向电流，二极管导通；
2. 反向截止：当外加电压极性反转时，内电场增强，势垒高度升高，只有极少数载流子能够越过势垒，只能形成极小的反向漏电流，二极管截止。
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