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存储芯片的粘片与封装键合工艺.docx
资料介绍
存储芯片的粘片与封装键合工艺
1 引言
粘片（Die Attach）和封装键合（Wire Bonding/Flip Chip）是存储芯片封装中的核心工艺，直接影响芯片的散热性能、电气连接可靠性和机械强度。在HBM和3D堆叠存储芯片中，微凸块（Microbump）和混合键合（Hybrid Bonding）等先进键合工艺正在取代传统引线键合。本章系统分析存储芯片的粘片与键合工艺原理、材料体系和可靠性评估方法。
2 粘片工艺
2.1 粘片材料
粘片材料（Die Attach Material, DAM）用于将芯片固定在基板或引线框架上。常见的粘片材料包括：
1. 导电银胶：导热系数1-5W/m·K，适用于中低功耗芯片
2. 焊料（Solder）：导热系数>50W/m·K，适用于高功耗芯片
3. 烧结银（Sintered Ag）：导热系数>200W/m·K，适用于极高功率密度
4. 非导电胶：适用于对电气隔离有要求的场景
2.2 粘片工艺
粘片工艺包括点胶、贴片和固化三个步骤。在HBM封装中，多层DRAM Die的堆叠粘片需要高精度对准，贴片精度需<10μm。
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