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单结晶体管触发电路.docx
资料介绍
单结晶体管触发电路
一、单结晶体管的基本结构与工作原理
1.1 基本结构
单结晶体管也称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆基极的半导体器件，其结构与普通晶体管存在明显差异。从物理结构来看，单结晶体管在一块高电阻率的N型硅片两端，制作了两个欧姆接触电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2；在硅片靠近B2的一侧掺入P型杂质，引出一个PN结，电极称为发射极E。由于该器件只有一个PN结，同时拥有两个基极，因此得名单结晶体管。
从等效电路角度分析，两个基极B1与B2之间的电阻是硅片本身的体电阻，记为RBB=RB1+RB2，其中RB1是发射极到B1之间的电阻，RB2是发射极到B2之间的电阻。正常状态下RBB的阻值范围一般在2kΩ~15MΩ之间，且RB1的阻值会随着发射极电流IE的增大而减小，呈现出负阻特性。
1.2 伏安特性与负阻特性
当在B2和B1之间施加直流电压UBB，且发射极开路时，发射极电位相对B1的电压为分压电压UP=ηUBB，其中η称为分压比，是单结晶体管最重要的参数之一，由器件结构决定，范围一般在0.3~0.9之间。
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