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电子特气品类大全与超高纯提纯技术.docx
资料介绍
电子特气品类大全与超高纯提纯技术
引言
电子特气被称为芯片工业的血液，贯穿晶圆制造的刻蚀、薄膜沉积、掺杂、清洗等所有核心工序。2026年，全球电子特气市场规模已突破120亿美元，国内需求持续增长。电子特气品类繁多，单一品类用量不大但不可或缺，且纯度要求极高（6N至9N级别）。由于提纯工艺复杂、认证周期长、客户粘性大，电子特气市场长期被美国空气化工、德国林德、法国液化空气、日本大阳日酸四大巨头垄断。2026年，国内电子特气企业在成熟制程领域已实现全面替代，中高端品类正在加速验证导入。
电子特气分类与功能
刻蚀气体
刻蚀气体用于晶圆刻蚀工艺，通过等离子体激发产生活性自由基，与硅片表面材料发生化学反应实现图形转移。主要品类包括：
1. 含氟刻蚀气：CF4、CHF3、C4F8、C4F6、SF6等，用于硅和二氧化硅的刻蚀
2. 含氯刻蚀气：Cl2、BCl3、HCl等，用于铝和III-V族化合物的刻蚀
3. 含溴刻蚀气：HBr，用于硅和多晶硅的高精度刻蚀
含氟刻蚀气在先进制程中的用量最大，C4F6和C4F8因其高刻蚀选择性和低全球变暖潜能值（GWP）成为主流选择。
沉积气体
沉积气体用于化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）工艺，在硅片表面形成薄膜。主要品类包括：
1. 硅烷类：SiH4、Si2H6、TEOS，用于二氧化硅和氮化硅薄膜沉积
2. 锗烷：GeH4，用于SiGe外延层生长
3. 氮源：NH3、N2O，用于氮化硅和氮氧化硅薄膜
4. 碳源：C2H2、CH4，用于碳化硅和碳掺杂薄膜
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