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芯片设计中的共栅放大器与共基放大器.docx
资料介绍
芯片设计中的共栅放大器与共基放大器设计
共栅放大器（MOSFET）和共基放大器（BJT）提供低输入阻抗和高输出阻抗，在Cascode结构和电流模式电路中广泛应用。共栅放大器的输入阻抗低，带宽宽，隔离度好，在高速放大器中应用。本文将从共栅放大器结构、增益特性、输入阻抗、输出阻抗、频率响应以及应用等方面，系统阐述共栅放大器与共基放大器的设计方法。
共栅放大器结构
共栅放大器的输入信号加在源极，输出从漏极取出，栅极接固定偏置电压。
1. NMOS共栅放大器：NMOS共栅放大器由NMOS和负载电阻
组成，栅极接偏置电压，输入信号加在源极，输出从漏极取出。
2. 偏置条件：共栅放大器的栅极偏置电压需使MOSFET工作在饱和区，，在输入信号变化时，MOSFET保持饱和。
3. 共基放大器：共基放大器使用BJT，基极接偏置电压，发射极为输入，集电极为输出。共基放大器的输入阻抗约，增益高。
输入阻抗
共栅放大器的输入阻抗低，在电流模式电路中应用。
1. 输入阻抗公式：共栅放大器的输入阻抗，在偏置电流1 mA时， Ω。
2. 低输入阻抗优势：共栅放大器的低输入阻抗在电流输入信号中，在电流放大器中，在输入节点的时间常数小，带宽宽。
3. 输入阻抗与偏置电流：输入阻抗与偏置电流成反比，在偏置电流增大时，输入阻抗降低。
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