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芯片设计中的相控阵雷达波形发生器与波束控制.docx

更新时间:2026-08-07 08:36:00 大小:38K 上传用户:潇潇江南查看TA发布的资源 标签:芯片设计 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

体声波(BAW)滤波器在射频前端中实现高Q值的频率选择,在5G通信中用于信道选择和双工器。BAW滤波器利用压电材料的声波谐振,在射频频率(1~10 GHz)提供高Q值(>1000)的滤波特性,远高于SAW滤波器(Q=500~1000)和LC滤波器(Q=10~30)。本文将从BAW原理、FBARSMR、滤波器设计、射频前端集成以及温度补偿等方面,系统阐述体声波滤波器与射频前端集成的设计方法。

BAW滤波器原理

BAW滤波器利用压电材料的体声波谐振实现频率选择。

1. 压电效应:压电材料(如AlNScAlN)在电场作用下产生机械变形,在机械应力作用下产生电荷。在BAW谐振器中,交变电场通过压电材料激发体声波,在谐振频率处产生机械谐振。


3. QBAW谐振器的Q值可达1000~5000,远高于SAW滤波器(500~1000)和LC滤波器(10~30)。高Q值使BAW滤波器具有陡峭的通带边缘和高的阻带衰减。

FBARSMR

BAW谐振器的两种主要结构为FBARSMR

1. FBAR:薄膜体声波谐振器(FBAR)在硅衬底上制作悬空的压电薄膜,在谐振时声波在薄膜的上下表面之间反射。FBARQ值高(>2000),但机械强度较弱,需要封装保护。

2. SMR:固态安装谐振器(SMR)在压电薄膜下方制作声学布拉格反射层(交替的高/低声阻抗层),将声波约束在压电层中。SMR的机械强度好,但Q值略低于FBAR(约1000~2000)。


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