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台面蚀刻结构
资料介绍
一、台面蚀刻结构概述
台面蚀刻(也叫台面刻蚀)是半导体制造、MEMS(微机电系统)加工、精密光学元件制备等领域中常用的微纳加工工艺,通过在基体材料的表面(即“台面”区域)有选择性地去除材料,形成凸起的台面结构或凹陷的沟槽结构,这种通过蚀刻得到的特定形貌结构就是台面蚀刻结构。该结构被广泛应用于光电芯片、微传感器、微流控芯片、功率半导体器件等产品中,是实现器件功能分区、电学隔离、光学调制的核心结构之一。
二、台面蚀刻结构的加工原理
台面蚀刻结构的加工建立在湿法蚀刻或干法蚀刻的材料去除原理基础上,核心思路是通过光刻掩模定义需要保留或去除的区域,再通过蚀刻工艺得到目标形貌:
1. 选择性材料去除:预先通过光刻工艺在基体表面制备光刻胶掩模,掩模会保护需要保留的台面区域,暴露需要蚀刻去除的区域;蚀刻过程中,蚀刻液或蚀刻气体仅与暴露区域的材料发生反应,将该区域材料逐层去除,最终保留下来的区域就形成凸起的台面结构。如果掩模保护的是沟槽区域、暴露台面区域,蚀刻后则得到凹陷的台面沟槽结构。
2. 形貌控制:通过控制蚀刻时间、蚀刻温度、蚀刻功率等参数,可以精准控制蚀刻深度,从而得到不同高度/深度的台面蚀刻结构,满足不同器件的设计要求。
三、常见的台面蚀刻结构分类
按照加工工艺、形貌和应用场景的不同,台面蚀刻结构可以分为以下几类:
1. 按蚀刻工艺分类
(1)湿法台面蚀刻结构
湿法蚀刻利用化学蚀刻液与基体材料的化学反应去除材料,得到的台面结构通常具有各向同性蚀刻的特点,侧壁会存在一定的侧向钻蚀,台面侧壁呈圆滑的斜坡状。这种工艺成本低、蚀刻速率快,适合加工大尺寸、对侧壁垂直度要求不高的台面结构,常用于早期的分立功率器件、常规MEMS结构加工。
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