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CMOS宽带低噪声放大器的研究与设计
资料介绍
首先，从电视调谐器系统架构得出低噪声放大器的性能指标要求，初步分析了电路设计的难点是低噪声与高线性度等要求。接着，对基本的MOS器件噪声模型进行分析，研究了CMOS器件中噪声的机理与模型，以及器件非线性的计算方法。在此基础上，介绍了几种基本的窄带低噪声放大器电路结构，对各自的输入阻抗、噪声系数等参数进行了推导，为宽带低噪声放大器的分析和设计提供了初步的理论基础。
在此基础上，开始研究宽带低噪声放大器的设计与优化。文中详细的介绍了一个采用噪声抵消技术的单端宽带低噪声放大器的设计方法，包括电路结构的选取，电路参数的分析与计算，器件参数的选取，电路性能的优化等。总结了该电路的优缺点和设计极限。
更进一步的，介绍本文工作的重点，即全差分可变增益低噪声放大器的设计。
该电路基于电容交义耦合共栅放大结构，提出了采用平衡-非平衡变压器（Balun）
做直流通路对噪声的降低作用，以及采用NMOS管做负载对降低噪声系数、稳定直流工作点和提高线性度的好处。理论分析和仿真显示电路设计指标优良。最后，通过两次流片验证了电路的基本理论和设计方法和正确性。详细介绍了芯片版图设计，封装，测试等环节需要考虑的细节。测试结果显示芯片各项指标已经基本满足了电视调谐器的系统要求。
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2019-12-12 12:11:08kcm18
好东西，好东西