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铠侠闪迪第九代BiCS QLC 332层CBA架构闪存技术.docx
资料介绍
铠侠闪迪第九代BiCS QLC：332层CBA架构闪存技术
摘要
2026年8月，铠侠与闪迪联合发布第九代BiCS QLC 3D闪存技术，单颗2Tb容量（250GB），采用CBA（CMOS直接键合到存储阵列）架构，堆叠层数332层，位密度突破37Gb/mm²，接口速率达4.8Gb/s，较前代提升33%。该技术通过6-plane架构实现写入和读取带宽的大幅提升，同时改善能效，主要面向AI数据中心冷存储层和企业级高容量存储工作负载。本文从CBA架构原理、技术参数、性能提升与产业化前景等维度，系统分析第九代BiCS QLC的技术特征。
一、CBA架构原理
CBA（CMOS directly Bonded to Array）架构是铠侠与闪迪联合开发的核心技术，将存储单元阵列和CMOS逻辑电路分别在不同晶圆上制造，再通过先进的铜键合工艺面对面堆叠在一起。
CBA架构的优势：
· 存储阵列和CMOS逻辑电路可各自采用最优化的制造工艺
· 互不拖累，实现性能和成本的最佳平衡
· 灵活性高，可单独升级CMOS电路或存储阵列
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| 铠侠闪迪第九代BiCS_QLC_332层CBA架构闪存技术.docx | 38K |
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