推荐星级:
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
车规级MOSFET安全工作区介绍
资料介绍
车规级MOSFET安全工作区介绍在串联电感负载情况下关闭MOSFET期间,必须考虑电路中存储的能量的耗散。一种解决方案是在栅极和漏极之间安装一个齐纳二极管,以保持MOSFET部分导通,直到电感器中存储的能量消散。与允许MOSFET雪崩相比,有源箝位电路以延长耗散事件为代价降低了峰值功率。
部分文件列表
文件名 | 大小 |
Automotive_MOSFETs_Operating_in_the_Safe_Operating_Area_2015_Puerschel.pdf | 3M |
全部评论(0)