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车规级MOSFET安全工作区介绍
资料介绍
车规级MOSFET安全工作区介绍在串联电感负载情况下关闭MOSFET期间，必须考虑电路中存储的能量的耗散。一种解决方案是在栅极和漏极之间安装一个齐纳二极管，以保持MOSFET部分导通，直到电感器中存储的能量消散。与允许MOSFET雪崩相比，有源箝位电路以延长耗散事件为代价降低了峰值功率。
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| 文件名 | 大小 |
| Automotive_MOSFETs_Operating_in_the_Safe_Operating_Area_2015_Puerschel.pdf | 3M |
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资料：bitboy
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