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GaN HEMT 功放管偏置电路参考设计
资料介绍
本文档提供了一个氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)基本的偏置电路，以便于客户使用 GaNHEMT 功放管进行系统电路设计。本文档所提供电路方案主要具有栅压稳压、栅压调节、栅压指示、栅极和漏极加电时序保护等功能。
电路中网络标号+5V 接入系统+5V 电源，VD_IN 接入系统漏极供电电源，VG 接入功放栅极，VD 接入功放漏极。具体电路说明如下：
2.1 图示 1 为栅压正负压转换部分，稳压芯片 LTC1261CS8-4 把输入的＋5V 电压转换为-4V 电压，并通过 C3、R7、C4 进行滤波，使-4V 电源纹波小于 2mV，保证了栅极供电的纯净。发光二极管 D1 进行负压输出指示。
2.2 图示 2 为电压调节部分，使用电位器和分压电阻对输出电压进行调节，R8、R10 对分压进行粗调，贴片电位器 R13 对电压进行细调。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| AN_04-GaN_HEMT_功放管偏置电路参考设计.pdf | 244K |
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