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GaN HEMT 功放管偏置电路参考设计

更新时间:2019-06-09 21:36:10 大小:244K 上传用户:z00查看TA发布的资源 标签:GaNHEMT功放管偏置电路 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文档提供了一个氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)基本的偏置电路,以便于客户使用 GaNHEMT 功放管进行系统电路设计。本文档所提供电路方案主要具有栅压稳压、栅压调节、栅压指示、栅极和漏极加电时序保护等功能。

电路中网络标号+5V 接入系统+5V 电源,VD_IN 接入系统漏极供电电源,VG 接入功放栅极,VD 接入功放漏极。具体电路说明如下:

2.1 图示 1 为栅压正负压转换部分,稳压芯片 LTC1261CS8-4 把输入的+5V 电压转换为-4V 电压,并通过 C3、R7、C4 进行滤波,使-4V 电源纹波小于 2mV,保证了栅极供电的纯净。发光二极管 D1 进行负压输出指示。

2.2 图示 2 为电压调节部分,使用电位器和分压电阻对输出电压进行调节,R8、R10 对分压进行粗调,贴片电位器 R13 对电压进行细调。


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AN_04-GaN_HEMT_功放管偏置电路参考设计.pdf 244K

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