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EEPROM与Flash分区管理策略.docx
资料介绍
传感器参数存储：EEPROM与Flash分区管理策略
1 引言
传感器节点的校准参数、配置信息和设备标识需要在掉电后保持。EEPROM和Flash是两种常用的非易失性存储器。本文介绍传感器参数存储的分区管理策略和读写优化方法。
2 EEPROM与Flash对比
EEPROM：按字节读写，擦写寿命约10万—100万次，适合频繁更新的小数据量存储。I²C接口EEPROM（如AT24C02）容量256字节—256KB。
Flash：按页擦除（通常256B—4KB），擦写寿命约1万—10万次，适合存储固件和大数据量。MCU内部Flash通常用于存储程序，空闲空间可用于参数存储。
3 分区管理策略
参数分区：将存储区划分为多个分区，每个分区存储不同类型的数据：校准参数分区、配置参数分区、设备信息分区、日志分区。
版本管理：每个分区头部存储版本号和校验值，读取时检查版本兼容性和数据完整性。
备份机制：关键参数存储两份拷贝，一份损坏时使用备份恢复。
4 磨损均衡
写入次数限制：EEPROM的擦写寿命有限，频繁写入会耗尽寿命。对于需要频繁更新的参数（如计数值），使用磨损均衡算法，将写入地址循环使用。
实现：将多个存储单元用于同一个参数，每次写入使用下一个单元，达到最大值后从头开始。
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| 79_传感器参数存储_EEPROM与Flash分区管理策略.docx | 37K |
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