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采用65nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC-VCO
资料介绍
介绍了采用65nm工艺实现宽频带和低相位噪声LC—V CO 。 利用相邻两层金属以及多层金属之间的寄生电容来实现堆积式MOM电容 。 开关阵列电容采用所述 的堆积电容来实现 ，在实现宽频带调谐的基础上可减小VCO的调谐增益。 在交叉耦合 M OS 管的漏极插入电阻来抑制有源器件中闪烁噪声 ，这种非谐振方式可保证闪烁噪声的抑 制在宽频带范围内有效。
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