- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
采用65nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC-VCO
资料介绍
介绍了采用65nm工艺实现宽频带和低相位噪声LC—V CO 。 利用相邻两层金属以及多层金属之间的寄生电容来实现堆积式MOM电容 。 开关阵列电容采用所述 的堆积电容来实现 ，在实现宽频带调谐的基础上可减小VCO的调谐增益。 在交叉耦合 M OS 管的漏极插入电阻来抑制有源器件中闪烁噪声 ，这种非谐振方式可保证闪烁噪声的抑 制在宽频带范围内有效。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 采用65nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC-VCO.pdf | 1M |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
全部评论(0)