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3D NAND字线间气隙技术降低寄生电容抑制单元间干扰.docx
资料介绍
3D NAND字线间气隙技术——降低寄生电容抑制单元间干扰
摘要
随着3D NAND堆叠层数增加，字线之间的寄生电容耦合和单元间干扰成为影响存储可靠性的关键问题。字线间气隙（Air Gap）技术通过在字线之间引入低介电常数（低k值）的空气间隙，有效降低寄生电容，抑制相邻单元间的干扰。imec最近设计了可重复的气隙方案，使气隙与字线自对准。本文从气隙技术原理、工艺实现与性能提升等维度，系统分析这一技术。
一、气隙技术原理
在相邻字线之间引入空气间隙（介电常数k≈1），替代传统氧化物介质（k≈3.9），有效降低寄生电容和单元间干扰。气隙技术此前已在2D NAND中用于此目的，在3D NAND中实现更具挑战性。
二、工艺实现
imec设计的可重复气隙方案：在沉积ONO堆叠层之前，先对栅极间氧化层进行凹陷处理。气隙的引入使其与字线自对准，可精确控制位置，提供可扩展的解决方案。
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| 3D_NAND字线间气隙技术降低寄生电容抑制单元间干扰.docx | 37K |
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