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3D芯片堆叠技术走向主流应用
资料介绍
尽管最近几年以TsV穿透硅通孔为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高，但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用，而且这项技术的实际发展速度也相对缓慢，目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段。不过，许多芯片制造商仍在竭力推进基于TsV的3D芯片技术的发展并为其投入研发资金，这些厂商包括|BMte，三星，东芝等等，
3D芯片技术的优势在于可以在不需要改变现有产品制程的基础上增加产品的集成度，从而提高单位芯片面积内的晶体管数量
在最近举办的GSA存储大会上，芯片制造业的四大联盟组织-MEC，TR，Sematech以及SEM都展示了他们各自在基于TsV的3D芯片技术方面的最新进展sEM联盟组织旗下的一个3D芯片技术工作组本周召开了第一次联合会议，会上他们草拟出了一套TSV技术用晶圆坯以及制造用设备的标准。SEM|联盟组织旗下共有三个与3D芯片技术有关的工作组，而且他们目前还在组织第四个与之有关的工作组这个新成立的工作
组将由芯片生产用设备制造行业的老大应用材料公司领衔
而另外一个工业联盟组织 Sematech也在积极拓展自己的3D芯片研发计划。令人稍感意外的是，Analog Devices最近也宣布加入了由 Sematech组织的“3D芯片设计启动中心组织，目前该组织的成员有 Altera，LS，安森美半导体以及高通等几家
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