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2nm制程背后的技术豪赌：GAA与背面供电的协同进化.docx
资料介绍
2nm制程背后的技术豪赌：GAA与背面供电的协同进化
一、引言
2nm制程是当前半导体工艺技术的最前沿，台积电、英特尔和三星三大巨头正在展开激烈的技术竞赛。2nm制程的核心技术是GAA环绕栅极晶体管和背面供电网络，两者的协同进化正在推动芯片性能和功耗的又一次飞跃。
二、GAA晶体管的技术突破
2.1 从FinFET到GAA
2nm制程将从FinFET转向GAA环绕栅极晶体管，栅极完全环绕纳米片沟道，实现四面环绕控制。GAA的栅极控制能力比FinFET更强，进一步抑制了短沟道效应。
2.2 纳米片堆叠
GAA可以堆叠多个纳米片，通过调整纳米片数量控制驱动电流。2nm制程的纳米片数量通常为2~3层，纳米片厚度约5~8纳米。
三、背面供电技术
3.1 背面供电的原理
传统芯片的电源分配网络在芯片正面，与信号线争夺布线资源。背面供电将电源网络从芯片正面转移到背面，在芯片背面制作电源分配网络，通过TSV将电源信号从背面送入芯片。
3.2 背面供电的优势
背面供电释放了芯片正面的布线资源，提高了信号线的密度和性能。背面供电的电源路径更短，电阻更小，供电效率更高。
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