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存储芯片供需缺口量化分析2026至2028年平衡推演.docx
资料介绍
存储芯片供需缺口量化分析——2026至2028年的供需平衡推演
摘要
多家权威机构对存储芯片供需缺口进行了量化分析。高盛：2026年DRAM缺口4.9%、NAND缺口4.2%、HBM缺口5.1%。摩根大通：2027年客户需求与供应之比仍只有70%至80%。瑞银：DRAM供需紧张至少持续至2028年上半年。本文从供需缺口数据、产能释放时间线与平衡推演等维度，系统分析存储芯片供需缺口的量化趋势。
一、供需缺口数据
· 高盛：2026年DRAM缺口4.9%、NAND缺口4.2%、HBM缺口5.1%
· 摩根大通：2027年需求/供应比70%至80%，2028年小幅缓解
· 美光：2027年供需格局将比2026年更为吃紧
· 瑞银：DRAM供需紧张至少持续至2028年上半年
二、产能释放时间线
2026年几乎没有新增产能；2027年三星平泽P4、SK海力士龙仁工厂逐步释放；2028年美光纽约新厂、长鑫新厂产能释放。新增产能集中释放可能导致2028年供需趋于平衡。
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