- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
2.5D封装硅中介层技术与CoWoS架构详解.docx
资料介绍
2.5D封装硅中介层技术与CoWoS架构详解
一、引言
2.5D封装是当前AI和高性能计算芯片最主流的封装方案，在芯片和封装基板之间引入一层硅中介层，通过TSV和高密度互连实现多芯片的横向集成。台积电的CoWoS是2.5D封装技术的标杆，已成为英伟达、AMD等AI芯片的标准封装方案，也是全球先进封装市场产值最高的技术平台。
二、2.5D封装的基本原理
2.1 硅中介层的核心作用
硅中介层是2.5D封装的关键组件，位于芯片和封装基板之间。中介层使用硅材料制造，内部集成了TSV和金属互连层。芯片通过微凸块连接到中介层顶面，中介层底面的焊球连接到封装基板。中介层内的TSV实现垂直方向的信号导通，金属互连层实现芯片之间的水平信号传输。
2.2 与2D和3D封装的对比
2D封装中芯片平铺在基板上，互连密度低、带宽有限。3D封装中芯片直接垂直堆叠，互连密度最高但工艺难度和散热挑战最大。2.5D封装在两者之间取得平衡，通过中介层实现高密度互连，同时芯片保持平面排布，散热条件优于3D封装。
三、CoWoS技术体系
3.1 CoWoS-S
CoWoS-S使用全尺寸硅中介层，中介层面积可达2400mm²，支持多达10颗大型芯粒和20颗HBM堆叠的集成。硅中介层内的TSV和金属互连密度极高，可提供超过5TB/s的带宽。CoWoS-S是AI芯片封装的首选方案，但成本最高，中介层面积受限于光刻掩模版尺寸。
3.2 CoWoS-R
CoWoS-R使用有机RDL中介层替代硅中介层，成本较低，但互连密度低于硅中介层。CoWoS-R适用于对带宽要求略低的中高阶ASIC和网络芯片，在成本和性能之间取得平衡。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 2.5D封装硅中介层技术与CoWoS架构详解.docx | 37K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
tangyu1 打赏1.00元 3天前
-
jjjjkkkkk 打赏1.00元 3天前
-
emlimei 打赏1.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
资料：低频功率放大器的设计.
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
资料：51单片机数字频率计
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
13573902396 打赏1.00元 3天前
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：江岚
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：他山之石可攻玉
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：w993263495
-
21下载积分 打赏10.00元 3天前
用户：烟雨
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21下载积分 打赏70.00元 3天前
用户：铁蛋锅
-
21下载积分 打赏65.00元 3天前
用户：xzxbybd
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：jh0355
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：w178191520
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：jh03551
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：sun2152
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：w1966891335
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：pcb
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：bhacker
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：有理想666
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：godbox
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：aetek
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：JuneLin61
全部评论(0)