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存储芯片的先进封装技术路线图从2.5D到3.5D集成.docx
资料介绍
存储芯片的先进封装技术路线图：从2.5D到3.5D集成
1 引言
先进封装技术正从2.5D向3D乃至3.5D集成演进，在Z轴方向不断拓展互连密度和集成效率。从CoWoS硅中介层到SoIC混合键合，从微凸块到无凸点互连，从硅基板到玻璃基板，先进封装技术路线图清晰地指向更高的互连密度、更低的功耗和更小的封装尺寸。本章作为先进封装系列的收官之作，系统总结先进封装技术路线图。
2 技术代际
2.1 2.5D封装
2.5D封装通过硅中介层实现芯片的平面高密度互连。CoWoS-S是2.5D封装的代表，互连间距约40-50μm，带宽密度>1TB/s。
2.2 3D封装
3D封装通过TSV和微凸块/混合键合实现芯片的垂直堆叠。HBM是3D封装的典型代表，HBM4的16层堆叠通过混合键合实现互连间距<10μm。
2.3 3.5D集成
3.5D集成在3D封装的基础上，集成光电互连（CPO）和嵌入式液冷，实现更高性能的系统级集成。
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