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硕士论文 基于0.18μm cmos工艺低静态电流ldo设计
资料介绍
本文基于0.18um CMOS工艺设计了一款典型的低压差线性稳压器，其中输出电压稳定在3.3v，输入电压范围在3.3V-4.2V；具有极低的静态电流；加之较好的电源抑制比和良好的噪声性能使得该低压差线性稳压器适于应用在电源质量要求较高的电子设备中。仿真结果表明在所有的工艺角下，温漂为9mV：在负载电流为10mA的情况下，压差电压为113mV：线性调整率小于%1；在负载电容为1PF，频率低于100KHZ情况下，电源抑制比为60dB；在负载电流为20mA的情况下，仍然具有70.的相位裕度；温度在-45℃
-125℃之间，静态电流大于30umA，小于45 A.
本文首先介绍了电源管理技术中稳压器在整个电路系统的作用及其发展现状；其次详细介绍了LDO的工作原理、基本结构及主要性能指标的含义：并对LDO进行了理论分析，介绍了电路中元器件参数与设计参数之间的关系；详细讨论了LDO各部分可采用的电路结构及其特点，分析了可能影响LDO性能的各种因素，并进行了详细的介绍；最后按照设计要求确定了电路及其参数，使用Hspice软件对所设计的电路进行仿真并给出仿真结果；最后，对设计进行了总结，阐述了整个设计的优缺点。
关键字：电源管理：低压差线性稳压器；静态电流；反馈
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| 基于0.18μmcmos工艺低静态电流ldo设计.pdf | 6M |
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