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MEMS传感器的MEMS+CMOS单片集成工艺.docx
资料介绍
MEMS传感器的MEMS+CMOS单片集成工艺
引言
MEMS传感器与CMOS电路的集成是实现智能传感器微型化的关键路径。传统的分立方案将MEMS芯片和ASIC芯片分别制造后封装在一起，体积大、寄生参数高、成本高。MEMS+CMOS单片集成技术将MEMS结构与CMOS电路在同一芯片上制造，实现"芯片即系统"的目标。2026年，单片集成MEMS已成为高端惯性传感器和压力传感器的主流技术路线，MEMS工艺与CMOS工艺的深度融合推动了传感器性能的显著提升。
集成技术路线
前CMOS工艺
前CMOS工艺（Pre-CMOS）先制造MEMS结构，再制造CMOS电路。MEMS结构在高温工艺中可能受损，且CMOS工艺的拓扑结构增加光刻难度。
后CMOS工艺
后CMOS工艺（Post-CMOS）先制造CMOS电路，再制造MEMS结构。MEMS工艺温度需低于CMOS电路的温度预算（通常<450°C），限制了MEMS材料的选择。
混合工艺
混合工艺在CMOS制造完成后，在附加的晶圆上制造MEMS结构，然后通过键合或TSV互连集成。这种方式可在不影响CMOS电路的前提下优化MEMS工艺。
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| 1402-MEMS传感器的MEMS+CMOS单片集成工艺.docx | 38K |
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