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MEMS传感器硅通孔TSV互连技术.docx
资料介绍
MEMS传感器硅通孔（TSV）互连技术
引言
硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技术是MEMS传感器实现三维集成和晶圆级封装的关键互连技术。通过在硅衬底中制作垂直导电通道，TSV可实现芯片正面与背面的电气互连，大幅缩短互连距离，降低寄生参数，提高信号传输速度和系统集成度。2026年，TSV技术已从实验室走向大规模量产，在MEMS惯性传感器、压力传感器和射频MEMS等领域得到广泛应用，成为MEMS封装技术演进的重要方向。
TSV技术的基本原理
工艺结构
TSV是在硅衬底中制作的垂直导电通孔，典型的TSV结构包括：
· 硅衬底：通常为200-300 μm厚的硅晶圆
· 绝缘层：SiO₂或Si₃N₄，用于隔离硅衬底与导电材料
· 阻挡层：Ti/TiN或Ta/TaN，防止导电材料扩散
· 种子层：Cu，用于电镀生长
· 导电填充材料：Cu、W或多晶硅，实现电气互连
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| 1394-MEMS传感器硅通孔TSV互连技术.docx | 38K |
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