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pMUT压电微机械超声换能器技术.docx

资料介绍

pMUT压电微机械超声换能器技术

引言

压电微机械超声换能器(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer, pMUT)利用压电薄膜的弯曲振动模式,通过MEMS工艺在硅衬底上制备微型超声换能器阵列。与传统的压电陶瓷超声换能器相比,pMUT具有体积小、功耗低、易于与CMOS电路集成、可制造高密度二维阵列等优势。2026年,pMUT技术在医疗成像、手势识别、水下通信和距离测量等领域取得了显著进展,逐渐成为CMUT之外的另一主流MEMS超声换能器技术路线。

pMUT的工作原理

弯曲振动模式

pMUT的核心结构是悬空在硅衬底上的压电薄膜复合振膜。当在压电层上施加交流电压时,压电层产生横向应变,由于振膜的约束,产生弯曲振动,向介质中发射超声波。反之,当超声波作用于振膜时,振膜弯曲变形,压电层产生电荷,实现超声波接收。

共振频率

pMUT的共振频率由振膜的尺寸、材料和残余应力决定。通过调整振膜直径和厚度,可设计从数十kHz到数十MHz的共振频率。

材料体系

AlN压电薄膜

AlN具有CMOS工艺兼容性好、机械品质因数高、温度稳定性好等优势,是pMUT最常用的压电材料。Sc掺杂AlN可进一步提升压电系数。

PZT压电薄膜


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