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芯片设计中的晶体管串联与并联组合分析.docx
资料介绍
芯片设计中的晶体管串联与并联组合分析
晶体管的串联和并联组合在模拟集成电路中用于调整等效尺寸、提高耐压和增加驱动能力。串联晶体管在耐压和Cascode结构中应用，并联晶体管在驱动能力和匹配中应用。本文将从串联组合、并联组合、等效尺寸、耐压分析、驱动能力以及应用设计等方面，系统阐述晶体管串联与并联组合的分析方法。
串联组合
晶体管串联在Cascode结构和耐压应用中。
1. 等效尺寸：两个串联的MOSFET（
和，尺寸相同）的等效宽长比为，在串联时，等效沟道长度加倍。
2. Cascode结构：Cascode结构在共源管上串联共栅管，在输出阻抗提高时，，在增益提高时应用。
3. 耐压提高：串联晶体管在高压应用中，在漏源电压分摊在各晶体管中，在耐压提高时，在高压开关中应用。
并联组合
晶体管并联在驱动能力和匹配中应用。
1. 等效尺寸：两个并联的MOSFET（尺寸相同）的等效宽长比为，在并联时，等效沟道宽度加倍。
2. 驱动能力：并联晶体管在驱动能力提高时，在时，在功率管中应用。
3. 匹配：并联晶体管在匹配中，在单位晶体管阵列中，在DAC和电流镜中，在匹配精度提高时应用。
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