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电力电子变换器宽禁带器件的高频辅助电源设计技术.docx
大小：37K 更新时间：2026-09-11 下载积分：2分
电力电子变换器宽禁带器件的高频辅助电源设计技术1 引言辅助电源是电力电子变换器中为控制电路、驱动电路和采样电路供电的关键组件，宽禁带器件的应用对辅助电源提出了更高的要求。SiC MOSFET的驱动需要+15~+20 V和-...
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电力电子变换器宽禁带器件的高频采样与保护电路设计技术.docx
大小：37K 更新时间：2026-09-11 下载积分：2分
电力电子变换器宽禁带器件的高频采样与保护电路设计技术1 引言宽禁带器件的高频高速开关特性对采样和保护电路提出了更高要求，SiC MOSFET的开关时间在10~50 ns，GaN HEMT的开关时间在2~10 ns，采样和保护电路的响应...
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电力电子变换器宽禁带器件并联均流技术设计.docx
大小：37K 更新时间：2026-09-11 下载积分：2分
电力电子变换器宽禁带器件并联均流技术设计1 引言在大功率变换器中，多颗宽禁带器件并联是提高输出电流的常用方案。SiC MOSFET和GaN HEMT的正温度系数特性有利于并联均流，但高频开关特性对器件参数差异、布局不对称...
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电力电子变换器宽禁带器件可靠性评估与寿命预测技术设计.docx
大小：37K 更新时间：2026-09-11 下载积分：2分
电力电子变换器宽禁带器件可靠性评估与寿命预测技术设计1 引言宽禁带器件的可靠性评估是其在电力电子变换器中广泛应用的前提，SiC MOSFET和GaN HEMT的失效机理和可靠性特性与传统Si器件有显著差异，需要针对性的评估...
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电力电子变换器宽禁带器件的EMI特性与抑制技术设计.docx
大小：37K 更新时间：2026-09-11 下载积分：2分
电力电子变换器宽禁带器件的EMI特性与抑制技术设计1 引言宽禁带器件的高dv/dt和高di/dt在提高效率的同时，也带来了更严重的EMI问题。SiC MOSFET的dv/dt可达10~50 kV/μs，GaN HEMT的dv/dt可达50~100 kV/μs，是传统S...
