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Toshiba东芝TPN3R704PL N沟道MOSFET产品规格书datasheet
资料介绍
TPH3R704PC MOSFET 提供了一系列优异的特性，这些特性使其具备高效和可靠的性能：
高速开关： 该MOSFET专为高速开关应用而设计，非常适合需要快速开关过渡的电路。其快速开关能力有助于最大限度地减少功耗，这对于对电源敏感的应用（如DC-DC转换器）至关重要。
低漏源导通电阻 (RDS(ON))： TPH3R704PC 的典型导通电阻仅为2.9 mΩ（VGS = 10V）。较低的电阻意味着在导通期间能量损失更少，使得该MOSFET在电源敏感型应用中表现出色。低导通电阻是设计高效电源管理系统时的一个关键性能指标。
低输出和栅极电荷： TPH3R704PC 的典型输出电荷 (Qoss) 为28 nC，栅极开关电荷 (QSW) 为14 nC。这确保了在开关过程中最小的延迟和能量损失。低栅极电荷允许较低的驱动功耗，这在节能设计中非常重要。
高漏极电流： 该MOSFET能够处理高达82A的连续漏极电流（Tc = 25°C），使其适用于高电流应用，如电机驱动器和高效DC-DC转换器。高电流能力确保了在严苛环境下的可靠性能。
增强型模式工作： TPH3R704PC 在增强模式下工作，其栅极阈值电压 (Vth) 范围为1.4V至2.4V。这一范围确保了稳定的操作，当未达到足够高的电压时，MOSFET保持关闭状态，从而减少泄漏和待机时的功耗。
热管理： 该器件具有优异的热特性，其通道到壳体的热阻仅为1.66°C/W，确保在操作过程中高效散热。良好的热性能对于高功率应用中的长期可靠性至关重要。
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| TPN3R704PL_datasheet_en_10.pdf | 486K |
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