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单端口SRAM技术解析
资料介绍
一、基本概念与定义
单端口SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）是一种仅通过一个公共地址端口完成寻址，同时支持读写操作的半导体存储器件。与DRAM需要周期性刷新电荷来保存数据不同，单端口SRAM依靠晶体管触发器的双稳态特性存储数据，只要保持供电，数据就可以持续稳定保存，不需要额外刷新操作。
这里的“单端口”是指芯片对外仅提供一套地址总线、一套数据总线和一套控制总线，同一时间只能执行读操作或者写操作中的一种，无法同时并行完成读写访问。这一特性是单端口SRAM与双端口SRAM最核心的区别，后者拥有两套独立的访问端口，可以同时处理两个读写请求。
二、存储单元结构与工作原理
1. 六管存储单元基本结构
工业界主流单端口SRAM的基本存储单元采用六管CMOS结构，也就是6个NMOS晶体管组成，一般标记为M1~M6，其中M1-M4四个晶体管构成两个交叉耦合的反相器，形成双稳态触发器，负责存储1bit的数据；M5和M6作为访问管，负责控制存储单元与位线之间的连接通路，具体结构如下：
· M1与M2构成第一个反相器，M1为上拉负载管，M2为下拉驱动管，输出端接第二个反相器的输入端；
· M3与M4构成第二个反相器，输出端接第一个反相器的输入端，形成闭环反馈的双稳态结构，两个反相器的输出端Q和QB互补，对应存储逻辑0和逻辑1两种稳定状态；
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