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双端口SRAM.
资料介绍
一、双端口SRAM的基本概念
1.1 SRAM基础
静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种,依靠晶体管的双稳态结构保存数据,不需要刷新电路就能保持存储的数据不丢失。相比动态随机存取存储器(DRAM),SRAM具有更快的访问速度、更低的功耗(待机状态),同时不需要额外的刷新操作,因此在对速度和稳定性要求较高的场景中得到广泛应用。
普通单端口SRAM只有一组数据总线,同一时间只能完成读操作或者写操作,无法同时对同一存储单元进行读写访问,限制了数据吞吐率,在需要同时访问同一存储区域的场景中存在性能瓶颈。
1.2 双端口SRAM定义
双端口静态随机存取存储器(Dual-port Static Random Access Memory,双端口SRAM)是在普通单端口SRAM的基础上改进而来,拥有两个相互独立的访问端口,每个端口都有一套独立的地址线、数据线、控制线,可以独立对存储器中的任意存储单元进行读或写操作。两个端口可以同时工作,互不干扰(存储单元冲突时通过仲裁机制处理),极大提升了存储器的数据访问并行度,解决了单端口SRAM访问冲突的问题。
二、双端口SRAM的核心架构与工作原理
2.1 存储单元结构
双端口SRAM的基本存储单元保留了传统六管SRAM的双稳态结构,由6个MOS晶体管组成:两个交叉耦合的反相器构成锁存器,用来保存1bit数据,另外两个晶体管作为访问控制开关,连接到位线上。与单端口SRAM不同,双端口SRAM为每个存储单元增加了一套独立的访问控制晶体管和位线,对应两个端口的访问通路,使得两个端口可以同时对同一个存储单元发起访问。
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