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超动态电压调整SRAM设计

更新时间：2020-05-13 11:34:36 大小：415K 上传用户：守着阳光1985查看TA发布的资源 标签：sram 下载积分：3分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路，解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题，实现了具有超动态电压调整（U-DVS）能力的 SRAM的设计，其工作电压范围可从亚阈值区变化到标称电压，达到SRAM低功耗和高性能的平衡。通过自适应衬底偏置电路和读缓冲器的设计，增强了 SRAM 单元低压下的读稳定性和鲁棒性。设计了可复用的读写辅助电路，同时提高 SRAM 的低压写能力和读速度。采用标准0.18-μm CMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明SRAM工作电压范围达到0.2V-1.8V，相应的工作频率为184 kHz-208 MHz，从1.8V到0.2V的工作电压范围内，SRAM总功耗降低了4个数量级，工作电压0.2V时的读写功耗仅为30nW。

This paper presents a novel 8T SRAM bit-cell and assisted circuit to solve the low-voltage functional problem of 6T SRAM, achieving the capability of ultra-dynamic voltage scalable (U-DVS) operation. For low voltage operation, the configurable body bias scheme enlarges the static noise margin (SNM) and bit-cell robustness. By multiplexing write and read peripheral assist circuits, SRAM write ability and read speed are both improved. The test-chip is fabricated with a standard 0.18-μm CMOS process. The measurement results demonstrate that the proposed SRAM can operate from 1.8V at 208 MHz down to 0.2V at 18...

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