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富士通铁电存储器MB85RS128B
资料介绍
MB85RS128B 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 16,384 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。 MB85RS128B 采用串行外设接口 (SPI)。 MB85RS128B 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。 MB85RS128B 中使用的存储单元可用于 1012次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。 MB85RS128B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS128B 不需要等待 时间。
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| SPI-MB85RS128B-DS501-00020-4v0-Z.pdf | 2M |
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