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SONOS型电荷捕获闪存.docx

更新时间：2026-08-23 22:48:21 大小：14K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：SONOS型电荷捕获闪存非易失性存储氮化硅电荷捕获层浮栅型闪存对比隧穿效应 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SONOS型电荷捕获闪存

基本概念

SONOS型电荷捕获闪存是一种非易失性存储技术，其全称为Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，即硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅的叠层结构，区别于传统浮栅型闪存，它利用氮化硅层中的陷阱位点存储电荷，以此实现数据的非易失性保存。

结构原理

传统浮栅型闪存依靠多晶硅浮栅存储电荷，SONOS结构从下到上依次为：硅衬底、隧道氧化层（SiO₂）、电荷捕获层（Si₃N₄）、阻挡氧化层（SiO₂）、控制栅极（多晶硅）。其中核心功能层是中间的氮化硅电荷捕获层，氮化硅材料中存在大量的悬挂键和缺陷，这些缺陷就是可以捕获电子的陷阱位点：

1. 写入操作：在控制栅极施加正高压，电子从硅衬底通过隧道效应穿过隧道氧化层，进入氮化硅层后被陷阱位点捕获，被俘获的电子会改变沟道的阈值电压，以此代表写入的逻辑状态；

2. 擦除操作：在控制栅极施加负高压，氮化硅层中捕获的电子通过隧穿效应回到衬底，或者空穴从衬底隧穿进入氮化硅层与电子复合，阈值电压回到初始状态，代表擦除完成；

3. 读取操作：在控制栅极施加读取电压，通过检测沟道是否导通判断当前阈值电压状态，以此识别存储的逻辑数据。


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