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SJ_T 2354-2015 ＰＩＮ 雪崩光电二极管测试方法

更新时间：2024-06-16 20:14:27 大小：19M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：光电二极管 下载积分：7分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本标准代替SJ/T2354.1~2354.14-1983。本标准在SJ/T2354.1~2354.14-1983的基础上除格式修改外主要变化如下：

增加了术语和定义（见第3章）：

增加了3dB截止频率的测试方法（见5.11）：

一增加了饱和光功率（直流、交流）的测试方法（见5.13）：

增加了阵列单元问响应度非均匀性（见5.12）：

将原“阵列串光因子”的测试修改为“阵列串扰（直流、交流）”的测试（见59）：

将原“过剩噪声指数”的测试修改为“过剩噪声因子”的测试（见5.15）：

—删除了“阵列盲区宽度”（见SJ/T2354.11一1983）。

本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所。

本标准主要起草人：郭萍、崔大健、王波。

本标准的历次版本发布情况为：

SJ2354.11983：SJ2354.2-1983：SJ2354.31983：SJ2354.41983：SJ2354.5-1983：SJ2354.61983：SJ2354.71983：SJ2354.8-1983：SJ2354.91983：SJ2354.10-1983：SJ2354.11-1983：SJ2354.12-1983：SJ2354.13—1983：

-SJ2354.14-1983.

本标准规定了PN，雪前光电二极管（以下简称“二极管”）光电参数的测试方法。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本通用于本文件，凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GBT2421.1一2008电工电子产品环境试验概述和指南GB/T11499一2001半导体分立器件文字符号GBT15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件3术语和定义

GBT11499一2001和GBT15651界定的以及下列术语、定义适用于本文件.

3.1反向击穿电压reverse breakdown voltage VaR无光照并通过二极管的反向电流为规定值时，两极间产生的电压降。


部分文件列表

文件名 大小
SJ_T_2354-2015_ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法.pdf 19M

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