SJ 50033_181-2018 半导体分立器件 3CK2907 3CK2907UA 3CK29

SJ 50033_181-2018 半导体分立器件 3CK2907、3CK2907UA、3CK2907UB型硅PNP高频小功率开关晶体管详细规范 1范国 本规范规定了3CK2907、3CK2907UA、3CK2907UB型硅PNP高類小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。本规范透用于器件的研制生产和使用。 2规范性引用文件 下列文件中的条 VNE ADOR修改单（不包含哲流的常 成修订版均不适用于本规范，然而，破根热范达成协议的各方研究 是否可使用这些 新版 期的引用文件，数新版套近手规范. GB/T4587导 第7部分：极型品体 GB/T 7588半导 带件外形尺 GB12300-90功率品树 安全工作区测试方法 GJB 33半导休行立降件规范 GJB12A1997半导体分立器件试验方运 GJB 54色电子器件法和程序TECHNOLOG一之公水红超润 要求 3.1总则 范为准。 32设计、结构和外形尺雪 3.2.1引出端镀涂层 引出端铁涂层应按GB3.998 ARDS 3.2.2器件结构 器件采用硅外延平面结构 3.2.3外形尺寸 3CK2907外形尺寸应符合GB/T7581-1987中的A3-01B型，见图1的规定：3CK2907UA采用UA型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2：3CK2907UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图3。 3.4电测试要求 电测试应符合GB/T4587-1994及本规范的规定。 3.5标志 标志应符合GB33A-1997和以下要求： a）批识别代码： b）生产厂标识： c）器件型号：3CK2907、3CK2907UA或3CK2907UB：d） 器件序列号： ©）器件质量等级标识：P、JT、JCT或Y级。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GB33A-1997和本规范的规定。 4.2筛选（仅对JT、JCT和JY级） 4.2.1通则 应按GJB33A-1997表2和本规范表3的规定100%进行，其测试应按本规范表4的规定进行，超过本规范表4极限值的器件应予别除。 4.4.2A组检验 A组检验应按GJB33A-1997的表3和本规范表4的规定进行。 4.4.3B组检验 JY级器件B组检验应按GJB33A-1997的表4a和本规范表5的规定进行JP、JT、JCT级器件B组检验应按GJB33A-1997的表4b和本规范表6的规定进行。 4.4.4C组检验 C组检验应按GB33A-1997的表5和本规范表7的规定进行。 4.4.5D组检验 有辐射强度保证的JCT级器件应按GJB33A-1997和本规范表8的规定进行D组检验。 4.5检验和试验方法 4.5.1脉冲测试 脉冲测试应按GB128A-1997的4.3.2.2的规定。 4.6宇航级器件定级试验材料要求 鉴定检验时，宇航级器件应提交以下材料： a）器件在最高工作温度和最低工作温度的全参数测试数据。 b）器件最大额定值的验证数据或证明资料。 c）器件进行稳态工作寿命摸底试验的数据。摸底试验时间：4000h或至少一半的器件出现失效，取小者。 4.7工艺过程控制补充要求 除GB33A-1997中规定的工艺过程控制外，承制方应按附录B的规定对参数一致性进行监控。 5交货准备 5.1包装要求 包装要求应按GJB33A-1997的规定。 5.2贮存要求 贮存要求应按GB33A-1997的规定。 5.3运输要求 运输要求应按GJB33A-1997的规定。 6说明事项 6.1订货资料 订货文件应规定器件的质量等级、本规范的编号及需要时其它要求。 6.2失效处理 6.2.1当外引线严重锈蚀，短、断路，接触不良，功能不正常视为严重失效。 6.2.2对于严重失效，要进行失效分析，并提供失微分析报告。分析结果若与批次有关，则该批不得提交。 A.1目的 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型品体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温 （T）是否达到了规定的数值。 7 A2设备 数（TSP），A.3程序 A.3.1确认清件在规定结温下的SP A.3.1.1通 采用一定的的 量电流。该5量，而不会产 生有数的自热 TS取誉的占空比应不 大于加热时储（的 %。应尽采用与试验环家 所使用夏 莫式相同房 口热电流（） 被试器伴的的应与进们老炼和寿命试 的结构相国除另有规定 少抽取5只器件 进行测量。 A.3.1.2确定要球的结温 首先确定考炼有 试验安求的结温。对于军用件的老炼命选，最使修 应漆相应的详细规范 规定，除另有规州 高结温应为被试器件的额定最高结混。 A31，3达到规定的贵 应在独立的温受控的温 温槽中或热板上将结温控制到规定值 允差士2K（或按要求）。 A.3.1.4记录TSP在被试器件放入井达到平合，小的定测量流 系列的TSP。这些TSP应为品体管的基极一发射极电压 保正的测量，但不得大至足以产生有效 的自热。 A.3.2寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安较在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实T。样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相问。被试器件应与TSP测量设条进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压。这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3.2施加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用对每一只被试器件同时监测一次TSP。 注：随着T的增大，SP测试值（K》会减小，A3，3.3规定结温下的T$P A.3.3.3.1概述 重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A3，32中TSP的测试值相同。应记录每只被试器件达到此所要求的T值所随加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A3，4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值，A3，3.3.2电流和功率额定值 如果加的加热电流或加热功率（P）超过器件的额定值才能使老炼时器件结温达到所要求的T则应作下列选择： ）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量： b）减少试验环境中的散热器： c）当相应的详细规范中允许时，可以升高TA直至达到所要求的T。 A3.3.3.3宇航级器件的 当宇航级（人？）器件进行强加度稳态工作寿命试验时，可高于其手册中规定的最高允许结温（对硅器件或储器件，即高于]50℃一200℃）·值可以规定为225℃-275℃.但选择的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度，该温度可依据本征区或二次击穿区（热产生的电子空穴对酒出接近或超过了P、结的本底摻杂水平）进行确定。该混度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整流管的反向击穿电压（）米观测到。 A3.3.4达到规定值后 器件应按A33.3.1确定的平均功率进行老裤或寿命试验。