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SJ2003-1981 CS33型N沟道结型场效应半导体对管
资料介绍
1.本标准适用于(单片)CS 33型N 沟道结型场效应半导体对管(以下简称产品)。该产品主要用于电子设备放大电路中。
2.该产品除应符合本标准规定外,还应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定
3.产品的外形结构尺寸应符合规定的外形图(见附录A)。
4.电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ 1949~1973-81《场效应半导体管测试方法》的规定。
5.环境试验后,按顺序测量下列电参数
(1)栅源短路时漏极电流IDss
(2)栅源截止电压VGs(off);
(3)正向跨导9ys
(4)栅源电压差|VGs,-Vcs,l;
(5)栅极截止电流IGss;
(6)栅源击穿电压V(BR)GSS。
其中IDss、VGscoff>、9rs、IVGs,-VGs,1的相对变化不得超过±30%,IGss、V,BR)Gss不得超过规范值。
6.短期寿命试验条件:Vos=-10V,Vps =0V,T.=Tim
7,高温贮存试验条件:金属封装的产品按T-175±3℃,陶瓷环氧封装和塑料封装的产品按Tim = 125 ± 3 ℃ 进行。
8.短期寿命和高温贮存试验后,按下列标准考核。
(1)Iuss、VGs(off)、9rs、1VGs,-VGs,1的相对变化不得超过±30%。
(2)IGss、V(BR)GSs、1VGs,-VGs,1/AT(只在寿命试验中考核)的变化不得超过规范值。
9,本标准参数规范的仲裁条件
环境温度
25± 2 ℃;相对湿度
65±5%;气压
650mmHg ~800mmHg.
10,生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线:
(1)转移特性随温度变化的曲线
(2)输出特性曲线;
(3)跨导与漏极电流特性曲线;
(4)栅源电压差与漏极电流特性曲线;
(5)温漂与漏极电流特性曲线;(6)噪声电压与频率特性曲线。
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SJ2003-1981_CS33型N沟道结型场效应半导体对管.pdf | 162K |
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