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SJ1979-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS6型高频场效应半导体管
资料介绍
SJ1979-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS6型高频场效应半导体管
1.本标准适用于CS6型N沟道结型场效应半导体管（以下简称产品）。该产品用于电子设备放
2.该产品除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3.产品的外形结构和尺寸应符合规定的外形图（见附录A）。
4，电参数符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ 1949~1973-81《场效应半导体管测试方法》的规定
5.环境试验后，按顺序测量下列电参数：
（1）栅源每路时漏极电流Inss；（2）栅源截止电压VGs（off）
（3）正向跨导9fs：
（4）栅极反向电流IGss
（5）栅源击穿电压V（RR）GSS。
其中IDss、VGs（off）、9ys的相对变化不得超过±30%，IGss、V（BR）Gss不得超过规范值。
6，额定功率试验条件：按功率P进行。
7.高温贮存试验条件：按Tim=125±3℃进行。
8，额定功率和高温贮存试验后，按下列标准考核：（1）Iass 的相对变化不得超过士 30%；
（2）VGs（off）的相对变化不得超过±30%；
（3）9ys 的相对变化不得超过± 30%。
9，本标准参数规范的仲裁条件：环境温度
25± 2℃；相对湿度
65±5%፡
气压
650mmHg ~800mmHg
10，生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线：
（1）输出特性曲线；（2）转移特生曲线；
（3）转移特性随温度变化的曲线；
（4）跨导与漏极电流特性曲线。
11，生产单位应在产品说明书中提供工艺筛选项目和筛选条件。
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| SJ1979-1981_N沟道结型场效应半导体管_CS6型高频场效应半导体管.pdf | 136K |
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