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SJ1842-1981 3CK110型PNP硅外延平面小功率开关三极管

更新时间:2024-06-20 22:01:44 大小:166K 上传用户:xuzhen1查看TA发布的资源 标签:人机界面 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1842-1981 3CK110型PNP硅外延平面小功率开关三极管

本标准适用于 3CK 110 型 PNP 硅外延平面小功率开关三极管,该产品在电子设备中主要作饱和 B非饱和开关用。

1.该产品除按本标准规定外,二类应符含 SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规 定。

类应符含 SJ 281-76 的规定。

2.外形结构和尺寸应符含 SJ 139-78《半导体三极管外形尺寸》的 B-1 型.

3.技术要求和试验方法

(1)电参数应符含参数规范表的规定,电参数的测试方法应符含 SJ 300~314-72《半导体二管测试方法》的规定。

(2)hFB 分档标志:

允许测试误差为±10%。

(3)环境试验后,按顺序测试下列电参数,a,b,d三项参数应符含参数规范表的规定,hret相对变化不得超过± 20%。

a.反向电流;b.饱和压降;c.电流放大系数;d.反向击穿电压.

(4)高温贮存和额定功率试验条件:a.高温贮存试验条件:按T,-为175℃下进行;b.额定功率试验条件:功率为Pex值,电压Vea为10 V.

(5)高温贮存和额定功率试验后,按下列标准考核

a.Icno不得大于规范值的两倍;b.hre的相对变化不得超过±35%;e.Vne.s..,的相对变化不得超过+20%;d.VeE.s..)的相对变化不得超过+0.1 V e.Vipa cEo的相对变化不得超过-20%.

4.说明

(1)本标准参数表中的电参数均以25℃为准。

(2)生产单位应在产品目录中提供下列典型特性曲线

a.I-Vas的关系曲线:

b.Ic—Vce 的关系曲线:

c.Veee>eso、Vcar>zso--T.的关系曲线:d.h—T.的关系曲线:

e.h,—Ic的关系曲线;f.fr-Ic 的关系曲线:

t.Ieso.Ieso—T.的关系曲线:

b.——,,的关系曲线:

i.,—,的关系曲线:

j.t,-I.的关系曲线;k.t,——Ic的关系曲线:

1.t..——I,的关系曲线;m.t—Ic 的关系曲线.


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