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SJ1842-1981 3CK110型PNP硅外延平面小功率开关三极管

更新时间：2024-06-20 22:01:44 大小：166K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：人机界面 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1842-1981 3CK110型PNP硅外延平面小功率开关三极管

本标准适用于 3CK 110 型 PNP 硅外延平面小功率开关三极管，该产品在电子设备中主要作饱和 B非饱和开关用。

1.该产品除按本标准规定外，二类应符含 SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规 定。

类应符含 SJ 281-76 的规定。

2.外形结构和尺寸应符含 SJ 139-78《半导体三极管外形尺寸》的 B-1 型.

3.技术要求和试验方法

（1）电参数应符含参数规范表的规定，电参数的测试方法应符含 SJ 300~314-72《半导体二管测试方法》的规定。

（2）hFB 分档标志：

允许测试误差为±10%。

（3）环境试验后，按顺序测试下列电参数，a，b，d三项参数应符含参数规范表的规定，hret相对变化不得超过± 20%。

a.反向电流；b.饱和压降；c.电流放大系数；d.反向击穿电压.

（4）高温贮存和额定功率试验条件：a.高温贮存试验条件：按T，-为175℃下进行；b.额定功率试验条件：功率为Pex值，电压Vea为10 V.

（5）高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核

a.Icno不得大于规范值的两倍；b.hre的相对变化不得超过±35%；e.Vne.s..，的相对变化不得超过+20%；d.VeE.s..）的相对变化不得超过+0.1 V e.Vipa cEo的相对变化不得超过-20%.

4.说明

（1）本标准参数表中的电参数均以25℃为准。

（2）生产单位应在产品目录中提供下列典型特性曲线

a.I-Vas的关系曲线：

b.Ic—Vce 的关系曲线：

c.Veee>eso、Vcar>zso--T.的关系曲线：d.h—T.的关系曲线：

e.h，—Ic的关系曲线；f.fr-Ic 的关系曲线：

t.Ieso.Ieso—T.的关系曲线：

b.——，，的关系曲线：

i.，—，的关系曲线：

j.t，-I.的关系曲线；k.t，——Ic的关系曲线：

1.t..——I，的关系曲线；m.t—Ic 的关系曲线.


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SJ1842-1981_3CK110型PNP硅外延平面小功率开关三极管.pdf 166K

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