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SiC宽带功率放大器模块设计分析

更新时间：2020-10-19 03:52:47 大小：285K 上传用户：zhengdai查看TA发布的资源 标签：功率放大器 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

功率放大器是射频前端中的关键部件,宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅（SiC）宽禁带功率器件,利用ADS仿真软件,依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真,制作了500~2 000 MHz波段宽带功率放大器,并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的,SiC宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。

Wide-band is the main development trend of power amplifier,which is a key component of broadband RF front end.Based on the SiC wide band gap semiconductor power devices,a 500～2 000 MHz band power amplifier is developed according to the specifications of the amplifier through the design,optimization and simulation of the electric circuits by using ADS.The performance test and environment experiment of the amplifier are carried out,which show that the method is feasible for simulation and design of wide-band power amplifier.The SiC wide band gap semiconductor power devices have very wide operating bandwidth.

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