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一种RF发射电路中的LNA设计

更新时间：2020-08-13 09:35:33 大小：458K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：rf发射电路lna 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

【摘要】针对射频发射电路前端的噪声系数过大的问题，设计了一种采用芯片设计的低噪声放大电路；首先结合目前几种常用的LMA的设计结构，文中选择了一种最可靠、性能最稳定的结构，该结构是采用了CM0S类芯片-MBC13720来设计的；并做岀了具体的设计方裳，包括输入匹配网络和輸岀匹配网络，以及供电模块的电路设计，给出了具体的参数；最后对所做的LNA电路进行了实物电路测试，结罘表明本设计可以滿足设计目的。其设计结构苘单，外围咆路容易搭配，容易调试，易于工程上的实现，因此具有极大的应用价值
【关键词】低噪声放大器；MBC13720；输入输出匹配；噪声系数

0引言
由于射频发射电路中的信号工作频率非常高，容易受到各种噪声的干扰，所以基本上每个射频电路的设计方案中都少不了低噪声放大器的设计环节。低噪声放大器广泛应用于微波逦信、微波測量、雷达等接收系统，是接收机电路中的第一个有源电路，其主要功能是将来自天线的微伏级电压信号进行放大。其实射频发射电路中的低噪声放大器也是非常重要的，本文采用了 BiCMoS-C型的射频芯片，设计了一种稳定工作在900MH左右下的射频发射电路的前级低噪声放大器，并保证射频信号在放大的基础上各种参数的系数最优化。
1方案选择
常见的低噪声放大器可以分为三种：双极型、JET和CM0S。它们的设计都能提供低噪声特性，但其性能不同。双极型放大器是低噪声放大器中最常见的选择，但是这种放大器的单位增益带宽的典型值小，并且源阻抗必须尽可能低，双极型放大器非常适合带宽要求低且源阻抗较低的应用；与双极型设计相比，JET输入低噪声放大器具有超低输入电流噪声密度，但输入电压噪声密度相对较大，JFET设计允许单电源工作，但是，由于JFET放大器的电压噪声较大，在源阻抗较低的应用中，它通常不是设计工程师的首选；新型CMOS输入低噪声放大器能够提供与双极型设计相当的电压噪声指标，且CMOs输入放大器的电流噪声与最好的JFT输入设计相当，甚至优于JFET输入放大器，因此我们选择了CMS类中的 BiCMOS-C型的低噪声放大方案

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