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PROM可编程只读存储器原理与应用
资料介绍
基本定义
PROM全称为Programmable Read-Only Memory，中文译名为可编程只读存储器，是一种只读存储器类型。它在出厂时并不存储任何数据，允许用户通过专用的编程设备将自定义程序或数据一次性写入，写入完成后数据就无法再修改或擦除，只能永久性读取使用。
发展背景
在PROM出现之前，早期的只读存储器ROM是由生产厂商在制造过程中直接固化数据，用户无法自行修改，仅能用于已经完全定型的标准化产品，对于小批量定制化需求的场景成本极高、灵活性极差。为解决这一痛点，在上世纪70年代PROM技术被开发出来，它让用户可以根据自身需求完成编程写入，成为半导体存储器发展历史中重要的一步，也为后续可擦除只读存储器（如EPROM、EEPROM）的发展奠定了技术基础。
工作原理
PROM的核心存储单元结构通常为熔丝型或反熔丝型两种：
1. 熔丝型PROM：在每一个存储单元的位线上都连接一根由多晶硅或者镍铬材料制成的熔丝，出厂时所有熔丝都处于连通状态，对应固定的默认存储值（一般为1）。当用户进行编程写入时，通过给需要写入0的单元施加高于正常工作电压的编程电流，将对应位置的熔丝烧断，使得该单元断开，最终实现数据的固化，熔丝烧断后无法恢复，因此写入操作不可逆转。
2. 反熔丝型PROM：与熔丝型原理相反，出厂时大部分存储单元处于断开状态，默认存储值为0，编程时通过施加高电压让需要改写为1的单元内部介质击穿，形成永久性导通，实现数据写入。反熔丝型PROM占用芯片面积更小，可靠性更高，在高可靠性航天领域应用更多。
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