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NMOS管交叉耦合的能量回收电路设计

更新时间：2020-09-17 06:35:12 大小：273K 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：NMOS管 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

对NMOS（N-metal oxide semiconductor）管交叉耦合逻辑（NMOS-transistor cross coupling logic,NCCL）的能量回收电路进行了研究,PMOS（P-metal oxide semiconductor）管作为输入管来降低纳米CMOS工艺中栅氧化层上的漏电流以减小功耗;在此基础上实现了绝热JK触发器电路.在90nm CMOS BSIM3工艺模型下,用HSPICE对NCCL反相器及其JK触发器进行了模拟分析,结果表明NCCL反相器的工作频率可达到1GHz;与ECRL（efficient charge recovery logic）反相器相比,当负载电容、时钟频率和电源电压中某一参数变化时,NCCL的功耗都出现不同程度的降低;在相同的工作条件下NCCL JK触发器的功耗约为ECRL的50%.

The energy recovery circuit based on NMOS（N-Metal Oxide Semiconductor）-transistor cross coupling logic（NCCL）is studied.PMOS（P-Metal Oxide Semiconductor）transistors are used as the input tube to reduce the leakage current on the oxide gate layer in nanometer CMOS process.NCCL JK flip-flop is constructed by these techniques.The circuits are simulated by HSPICE in 90 nm CMOS BSIM3 process,and the simulation results show that NCCL inventor＇s operation frequency can reach to 1GHz.Compared with the ECRL（Efficient Charge Recovery Logic）inventor,when load capacity or clock f...

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