积分商城

最新搜索： 正泰变频器 tb67s128 变频 canopen EP3C16Q240 SMT32F407
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 分压-自偏压共源放大电路的Multisim仿真研究
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

分压-自偏压共源放大电路的Multisim仿真研究

更新时间：2020-10-20 02:09:21 大小：239K 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：放大电路multisim仿真 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

针对场效应管电路分析中不同元件性能参数不同而导致一些理论计算复杂、繁琐，并且难于理解的情况，通过对N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路的理论研究，利用Multisim仿真软件对电路实际工作情况进行模拟，根据二者结果的对比，研究并提出了分压-自偏压共源放大电路的Multisim电路仿真研究的方法。

Since different components have different performance parameters which may lead to some complex theoretical calculations and situation which is cumbersome and difficult to understand in the analysis of FET circuit, a method of Muhisim simulation research for the partial pressure ＆ self-bias voltage common source amplification circuits is proposed, according to the theoretical study of the partial pressure ＆ self-bias voltage common source amplification circuits composed of N-channel enhancement mode MOS FET after the simulation of the actual working condition of the circuits by the aid of Multisim simulation software.

部分文件列表

文件名 大小
分压-自偏压共源放大电路的Multisim仿真研究.pdf 239K

【关注B站账户领20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号