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碳化硅MOSFET电路模型及其应用

更新时间：2020-06-28 19:58:58 大小：4M 上传用户：songhuahua查看TA发布的资源 标签：碳化硅mosfet 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型,并用能够反映碳化硅/氧化层界面特性的迁移率模型替换常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型中的常数迁移率.有关文献的实验数据验证了所建立的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型的准确性.与常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型相比,文中的电路模型能较为准确地模拟出碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层泄漏电流和短路失效现象.另外,该模型还可以用于讨论碳化硅/氧化层界面陷阱对工作在短路状态下的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响。

A ncwequivalcnt-circuit miodcl of the SiC MOSFET is suggested. Based on the conventional equivalent-circuit miodcl of the SiC MOSFET,the leakage current of the gate oxide and PN junction isincluded, and the invariable miobility in the conventional miodcl is replaced by an advanced miobility miodclwhich can reflect the interface characterization of SiC/SiO2.The accuracy of the proposed miodcl is verified by experimental results fromi references. Compared to the conventional miodcl, the proposed miodcl cansimulate the gate leakage current and the failure of SiC MOSFET. In addition, the suggested miodcl can beutilized to study...

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