积分商城

最新搜索： all03 sky1311 dac8552 ADS1256 ORCAD 线性恒流驱动芯片
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 碳化硅MOSFET电路模型及其应用
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

碳化硅MOSFET电路模型及其应用

更新时间：2020-06-28 19:58:58 大小：4M 上传用户：songhuahua查看TA发布的资源 标签：碳化硅mosfet 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型,并用能够反映碳化硅/氧化层界面特性的迁移率模型替换常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型中的常数迁移率.有关文献的实验数据验证了所建立的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型的准确性.与常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型相比,文中的电路模型能较为准确地模拟出碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层泄漏电流和短路失效现象.另外,该模型还可以用于讨论碳化硅/氧化层界面陷阱对工作在短路状态下的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响。

A ncwequivalcnt-circuit miodcl of the SiC MOSFET is suggested. Based on the conventional equivalent-circuit miodcl of the SiC MOSFET,the leakage current of the gate oxide and PN junction isincluded, and the invariable miobility in the conventional miodcl is replaced by an advanced miobility miodclwhich can reflect the interface characterization of SiC/SiO2.The accuracy of the proposed miodcl is verified by experimental results fromi references. Compared to the conventional miodcl, the proposed miodcl cansimulate the gate leakage current and the failure of SiC MOSFET. In addition, the suggested miodcl can beutilized to study...

部分文件列表

文件名 大小
碳化硅MOSFET电路模型及其应用.pdf 4M

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号