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高速MOS驱动电路设计及应用指南

更新时间：2020-12-17 18:27:50 大小：9M 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：mos驱动电路 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(1) 举报

资料介绍

本篇论文的主要目的是来论证一种为高速开关应用而设计高性能栅极驱动电路的系统研究方法。它是对“一站买齐”主题信息的收集，用来解决设计中最常见的挑战。因此，各级的电力电子工程师对它都应该感兴趣。
对最流行电路解决方案和他们的性能进行了分析，这包括寄生部分的影响、瞬态的和极限的工作情况。整篇文章开始于对 MOSFET技术和开关工作的概述随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。仔细描述了设计过程中关于接地和高边栅极驱动电路、AC耦合和变压器隔离的解决方案。其中一个章节专门来解决同步整流器应用中栅极驱动对 MOSFET的要求。
另外，文章中还有一些一步一步的参数分析设计实例

此外，有必要突出强调下，尤其是在电源应用上，MOSFET本身具有阻抗特性。MOSFET漏源端的电压降和流经半导体的电流成线性关系。这种线性关系，以 MOSFET的Rpsm表现出来，即导通阻抗。对于一个给定的栅源电压和温度的器件，其导通阻抗是恒定的。和pn结-22mV/℃的温度系数相反，MOSFET有一个正的温度系数，约为0.7%/C到1%℃。MOSFET的这一正温度系数使得它成为在大功率电源应用的并联工作（由于使用一个器件是不实际或不可能的）上的理想选择。由于 MOSFET较好的温度系数，并联的管子通常是均分电流。电流的均分是自动实现的，这是因为它的温度系数作为一个缓慢的负反馈系统。当电流较大时设备温度将会升高，但是不要忘记源漏极间的电压是不变的，温度升高将会使源漏极间电阻变大，增大的电阻又会使电流减小、因此管子的温度又会下降。最后，会达到一个动态平衡，并联的管子都通过相同的电流。在电流分配中，源漏极导通电阻的初始值和有不同温度特性的结电阻在均分电流时将会引起较大的误差，最高可达30%

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全部评论(1)

  • 2022-04-27 11:57:37AD10

    谢谢楼主分享

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